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J-GLOBAL ID：201202294374969928   整理番号：12A0255226

ZnO障壁層を用いた表面改質によるSi量子ドット増感太陽電池の性能増強

Performance enhancement of Si quantum dot-sensitized solar cells by surface modification using ZnO barrier layer

著者 (7件)： WANG Yuting (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SATO Muneharu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SEO Hyunwoong (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  UCHIDA Giichiro (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  ITAGAKI Naho (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KOGA Kazunori (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SHIRATANI Masaharu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 33rd  ページ： 133-134  発行年： 2011年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *量子ドット ,  *太陽電池 ,  *酸化亜鉛 ,  透明導電膜 ,  被覆層 ,  *表面改質 ,  ナノ粒子 ,  プラズマCVD ,  前駆体 ,  短絡電流 ,  電圧 ,  亜鉛化合物 ,  硝酸塩 ,  水和物 ,  電流電圧特性 ,  電流密度 ,  エネルギー変換効率 ,  硝酸亜鉛
準シソーラス用語： 障壁層 ,  開放電圧

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

物質索引 (1件)： 酢酸亜鉛水和物

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  障壁層 ,  表面改質 ,  Si ,  量子ドット増感太陽電池 ,  増強