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J-GLOBAL ID：201302221486832801   整理番号：13A0853060

電気化学的手法によるGaN多孔質構造の形成と光学特性の評価

著者 (5件)： 熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  渡部晃生 (北大 量集セ) ,  神保亮平 (北大 量集セ) ,  谷田部然治 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.30A-G20-14  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  構造 ,  キャラクタリゼーション ,  *電気化学 ,  N型半導体 ,  紫外線照射 ,  アノード酸化 ,  走査電子顕微鏡 ,  電圧 ,  反応速度 ,  溶解速度 ,  *反射率 ,  多孔質体 ,  化合物半導体 ,  印加電圧 ,  酸化速度
準シソーラス用語： *多孔質構造

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学 ,  手法 ,  GaN ,  多孔質構造 ,  光学特性 ,  評価