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J-GLOBAL ID：201302254154564620   整理番号：13A1723007

貼り合わせ法により作製した歪みGOI構造の電気特性

著者 (8件)： 長嶋智典 (都市大 総研) ,  勝俣洋典 (都市大 総研) ,  遠藤冴己 (都市大 総研) ,  山田晋也 (九大 大学院) ,  浜屋宏平 (九大 大学院) ,  宮尾正信 (九大 大学院) ,  白木靖寛 (都市大 総研) ,  澤野憲太郎 (都市大 総研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.18A-B4-8  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *素子構造 ,  電気的性質 ,  *ゲルマニウム ,  MBE成長 ,  ケイ素 ,  基板 ,  熱膨張 ,  歪
準シソーラス用語： GOI構造

分類 (1件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 貼り合わせ ,  作製 ,  歪み ,  GOI構造 ,  電気特性