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J-GLOBAL ID：201302258332462050   整理番号：13A1722696

電気化学的手法と裏面光照射によるGaN多孔質ナノ構造の形成

著者 (4件)： 渡部晃生 (北大 量集セ) ,  熊崎祐介 (北大 量集セ) ,  谷田部然治 (北大 量集セ) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 74th  ページ： ROMBUNNO.19P-D7-13  発行年： 2013年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *光照射 ,  *窒化ガリウム ,  *多孔性 ,  ナノ構造 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  多孔質体 ,  *ナノポーラス
準シソーラス用語： *ナノ多孔質

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学 ,  手法 ,  光照射 ,  GaN ,  多孔質 ,  ナノ構造