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J-GLOBAL ID：201302293077578627   整理番号：13A0853014

HEPESによるFe₃Si/Geヘテロ構造の評価

著者 (7件)： 松本宏哉 (東京都市大 工) ,  山田晋也 (九大) ,  笠原健司 (九大) ,  浜屋宏平 (九大) ,  澤野憲太郎 (東京都市大 工) ,  宮尾正信 (九大) ,  野平博司 (東京都市大 工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.29P-G7-10  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MOSFET ,  電極材料 ,  強磁性体 ,  *鉄化合物 ,  *ケイ化物 ,  MBE成長 ,  磁性薄膜 ,  基板 ,  半導体 ,  *ゲルマニウム ,  *半導体金属接合 ,  界面 ,  光電子分光法 ,  化学結合 ,  組成

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： HEPES ,  Ge ,  ヘテロ構造 ,  評価