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J-GLOBAL ID：201402234198469621   整理番号：14A1401538

ペンタセンナノロッド薄膜に発現する膜内電気伝導の非線形電界依存性とその要因の考察

著者 (4件)： 柿木宗一郎 (大阪大 院) ,  赤井恵 (大阪大 院) ,  齋藤彰 (大阪大 院) ,  桑原裕司 (大阪大 院)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2014  号： 秋季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.P03  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機半導体の特徴の一つである非線形電気伝導を,トップコンタクト金属電極を擁するペンタセンナノロッド薄膜系において観察した。我々は接触抵抗と膜内抵抗とを明確に分離し,界面のキャリア注入モデルと電界依存のある膜内抵抗モデルを対応させ,フィッティングを行うことでこの非線形電気伝導の要因について考察を行った。結果,ペンタセンナノロッドの非線形電気伝導は主に膜自体の電界依存性に起因することを示した。(著者抄録)

シソーラス用語： 棒 ,  ナノ構造 ,  *超薄膜 ,  発生 ,  *電気伝導 ,  *電場 ,  非線形性 ,  有機半導体 ,  結晶方位 ,  接触抵抗 ,  近似法 ,  ポリアセン ,  *電場依存性
準シソーラス用語： *ペンタセンナノロッド薄膜 ,  発現 ,  *膜内電気伝導 ,  *電界依存性 ,  キャリア注入モデル ,  膜内抵抗

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  静電気学,静磁気学  (BD01010C)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  電気伝導 ,  非線形 ,  電界依存性 ,  要因