文献

J-GLOBAL ID：201502244891056600   整理番号：15A0508251

高温ZnTeバッファ層導入によるZnTe薄膜のドメイン構造の改善

著者 (13件)： 相場貴之 (早大 先進理工) ,  中須大蔵 (早大 先進理工) ,  山下聡太郎 (早大 先進理工) ,  服部翔太 (早大 先進理工) ,  木津健 (早大 先進理工) ,  SUN W. (早大 先進理工) ,  田栗光祐 (早大 先進理工) ,  風見蕗乃 (早大 先進理工) ,  橋本勇輝 (早大 先進理工) ,  小崎峻 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 先進理工) ,  小林正和 (早大 材研) ,  朝日聡明 (JX日鉱日石金属)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.13P-A17-1  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *バッファ層 ,  *テルル化亜鉛 ,  半導体材料 ,  *半導体薄膜 ,  分域構造 ,  電子顕微鏡観察 ,  MBE成長 ,  基板 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  サファイア基板 ,  表面形態 ,  構造

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnTe ,  バッファ層 ,  薄膜 ,  ドメイン構造