研究者
J-GLOBAL ID：200901067625524151   更新日: 2024年07月15日

小林 正和

コバヤシ マサカズ | Kobayashi Masakazu
所属機関・部署：
早稲田大学 理工学術院 先進理工学部

早稲田大学 理工学術院 先進理工学部 について


職名： 教授
ホームページURL (2件)： http://www.eb.waseda.ac.jp/kobayashi/ ,  http://www.waseda.jp/zaiken/fol_shokai/kobayashiken/start.htm
研究分野 (4件)： 生体材料学 ,  生体医工学 ,  電気電子材料工学 ,  無機材料、物性
研究キーワード (1件)： 分子線エピタキシ 化合物半導体 ナノ粒子 光物性 電子物性 自家蛍光 分光画像解析、電子デバイス、固体物性I(光物性・半導体・誘電体)、半導体物性
競争的資金等の研究課題 (7件)：
  • 2004 - 2007 輻射熱アクティブ補償エピタキシによる高品質II-VI半導体多元混晶の作製
  • 2001 - 2002 環境変動による疲労損傷加速効果の実証と損傷回復処理
  • 1999 - 2000 マルチフェーズエピタキシ技術の構築によるワイドギャップ半導体の新規物性探査
  • 1995 - 1996 青色半導体レーザ作製のための複合光励起有機金属気相成長技術の開発研究
  • 1993 - 1994 光プローブによる結晶成長の原子・分子レベルの新しいその場観察法の研究-表面光干渉法-
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論文 (248件)：
  • Shotaro Kobayashi, Kota Sugimoto, Kaito Tsuboi, Masakazu Kobayashi. Crystal Quality Improvement of ZnTe (110) Thin Film Prepared on Sapphire by Increasing Nuclei Density on Substrate Surface. Journal of Crystal Growth. 2022. 126825-126825
  • Kaito Tsuboi, Nan Su, Shotaro Kobayashi, Kota Sugimoto, Masakazu Kobayashi. Molecular beam epitaxy of stoichiometric tin-telluride thin films. Journal of Crystal Growth. 2022. 126805-126805
  • Y. Yu, M. Kobayashi. Structural Change in Ag2Te Buffer Layer During Two-Step Closed Space Sublimation of AgGaTe2. Journal of Electronic Materials. 2020. 49. 12. 7541-7546
  • Masakazu Kobayashi. Pursuit of single domain ZnTe layers on sapphire substrates. Journal of Crystal Growth. 2019. 512. 189-193
  • K. Moriuchi, S. Taki, A. Uruno, M. Kobayashi. Suppression of CU 2 ZnSnS 4 Nanoparticle Based Film's Decomposition during the Selenization. Proceedings of the IEEE Conference on Nanotechnology. 2019. 2018-
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MISC (57件)：
  • 中須大蔵, 小林正和, 朝日聡明. サファイア基板上ZnTe薄膜のエピタキシーメカニズムの解析. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 78th. ROMBUNNO.5p-A411-1
  • 中須大蔵, 小高圭佑, 小林正和, 朝日聡明. サファイア基板上ZnTe薄膜成長における基板面方位による効果. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2017. 64th. ROMBUNNO.17a-513-11
  • 中須大蔵, SUN Wei-Che, 小林正和, 朝日聡明. サファイア基板表面のナノファセット構造によるZnTe薄膜の配向制御. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2016. 77th. ROMBUNNO.13p-D61-4
  • 風見蕗乃, SUN Wei-Che, WANG Jing, 中須大蔵, 服部翔太, 木津健, 橋本勇輝, 小林正和, 朝日聡明. フッ酸系エッチャントを用いたZnMgTe/ZnTe光導波路のリッジ加工. 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM). 2016. 2016. ROMBUNNO.2-092
  • 玉川陽菜, 中須大蔵, 服部翔太, 木津健, 橋本勇輝, 小高圭佑, 山本洋輔, SUN Wei-Che, 風見蕗乃, WANG Jing, et al. MBE法により作製されたサファイア基板上ZnTe薄膜の結晶性評価. 電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM). 2016. 2016. ROMBUNNO.2-091
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書籍 (4件)：
  • 発光と受光の物理と応用
    培風館 2008
  • Blue Laser and Light Emitting Diodes,
    オーム社 1996
  • Widegap II-VI Compounds for Opto-electronic Applications
    1992
  • 半導体結晶材料総合ハンドブック
    フジ・テクノシステム 1986
講演・口頭発表等 (406件)：
  • Surface morphology and electronic properties of SnTe films prepared by molecular beam epitaxy
    (Compound Semiconductor Week 2022)
  • MBE growth of Tin-Telluride thin films o;GaAs substrates
    (2022 MRS Spring Meeting & Exhibit)
  • MBE成長SnTe薄膜のシングルドメイン化
    (第69回応用物理学会春季学術講演会)
  • p-AgGaTe2太陽電池/Mo電極界面におけるMo-Te化合物の抑制
    (第69回応用物理学会春季学術講演会)
  • サファイアナノファセット面のサイズがZnTe(110)薄膜の結晶性に与える効果
    (第69回 応用物理学会 春季学術講演会)
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学歴 (2件)：
  • 1983 - 1988 東京工業大学 工学系研究科 電子物理工学
  • 1979 - 1983 早稲田大学 理工学部 電気工学科
学位 (1件)：
  • 工学博士 (東京工業大学)
経歴 (5件)：
  • 1991 - 2000 千葉大学 工学部電気電子工学科 助教授
  • 2000 - 早稲田大学 理工学術院 教授
  • 1990 - 1991 Purdue University School of Electrical Engineering 主幹研究員
  • 1989 - 1990 Purdue University School of Electrical Engineering 客員助教授
  • 1988 - 1989 Purdue University School of Electrical Engineering 助手
所属学会 (6件)：
American Physical Society ,  IEEE ,  American Insitute of Physics ,  電気学会 ,  応用物理学会 ,  Materials Research Society
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