小林正和

コバヤシマサカズ | Kobayashi Masakazu

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (2件)： http://www.eb.waseda.ac.jp/kobayashi/ , http://www.waseda.jp/zaiken/fol_shokai/kobayashiken/start.htm

研究分野 (4件)：生体材料学 , 生体医工学 , 電気電子材料工学 , 無機材料、物性

研究キーワード (1件)：分子線エピタキシ化合物半導体ナノ粒子光物性電子物性自家蛍光分光画像解析、電子デバイス、固体物性I(光物性・半導体・誘電体)、半導体物性

競争的資金等の研究課題 (7件)：

全件表示

論文 (247件)：

Shotaro Kobayashi, Kota Sugimoto, Kaito Tsuboi, Masakazu Kobayashi. Crystal Quality Improvement of ZnTe (110) Thin Film Prepared on Sapphire by Increasing Nuclei Density on Substrate Surface. Journal of Crystal Growth. 2022. 126825-126825
Kaito Tsuboi, Nan Su, Shotaro Kobayashi, Kota Sugimoto, Masakazu Kobayashi. Molecular beam epitaxy of stoichiometric tin-telluride thin films. Journal of Crystal Growth. 2022. 126805-126805
Y. Yu, M. Kobayashi. Structural Change in Ag2Te Buffer Layer During Two-Step Closed Space Sublimation of AgGaTe2. Journal of Electronic Materials. 2020. 49. 12. 7541-7546
Masakazu Kobayashi. Pursuit of single domain ZnTe layers on sapphire substrates. Journal of Crystal Growth. 2019. 512. 189-193
Aya Uruno, Masakazu Kobayashi. The Optical Property Characterization of AgGaTe2Prepared by the Two-Step Closed Space Sublimation. Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 2019. 216. 592

MISC (57件)：

M. Kobayashi, S. Hamaguchi, T. Yamamoto. SrGa2S4:Eu nanoparticle phosphors prepared by a ball milling method. Proceedings of the World Congress on Particle Technology 6. 2010. 27. 137
M. Kobayashi, S. Imada, T. Baba, S. Sakurasawa. X-ray Diffraction Studies of ZnMgTe/ZnTe Layered Structures and ZnTe/Si Structures. Proceedings of 2009 II-VI Workshop. 2009. 7.6
S. Hamaguchi, R. Takeuchi, T. Yamamoto, M. Kobayashi. The Effects of Post-Annealing on the Crystallinity and the Optical Properties of SrGa2S4:Eu Nanoparticles. Proceedings of the 16th International Display Workshops. 2009. PHp - 16
Hailong Zhou, A.V. Nurmikko, S. M. Kobayashi, A. Yoshikawa. Spectroscopy of self-assembled quantum dots in ZnSe. Proceedings of International Quantum Electronics Conference. 1999. 15-16
A Yoshikawa, Z Qin, H Nagano, Y Sugure, A Jia, M Kobayashi, Y Kato, K Takahashi. MBE growth of device-quality cubic GaN on atomically flat (001)GaAs prepared by atomic-hydrogen treatment at high-temperatures. SILICON CARBIDE, III-NITRIDES AND RELATED MATERIALS, PTS 1 AND 2. 1998. 264-2. 264-268. 1221-1224

書籍 (4件)：

講演・口頭発表等 (406件)：

Surface morphology and electronic properties of SnTe films prepared by molecular beam epitaxy
(Compound Semiconductor Week 2022)
MBE growth of Tin-Telluride thin films o;GaAs substrates
(2022 MRS Spring Meeting & Exhibit)
MBE成長SnTe薄膜のシングルドメイン化
(第69回応用物理学会春季学術講演会)
p-AgGaTe2太陽電池/Mo電極界面におけるMo-Te化合物の抑制
(第69回応用物理学会春季学術講演会)
サファイアナノファセット面のサイズがZnTe(110)薄膜の結晶性に与える効果
(第69回応用物理学会春季学術講演会)

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

経歴 (5件)：

所属学会 (6件)：

American Physical Society , IEEE , American Insitute of Physics , 電気学会 , 応用物理学会 , Materials Research Society

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

小林 正和