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J-GLOBAL ID：201502298355147752   整理番号：15A0506245

300°C以下プロセスで作製した結晶性GeチャネルTFT

著者 (9件)： 笠原健司 (九大) ,  永冨雄太 (九大 産学連携セ) ,  山本圭介 (九大 産学連携セ) ,  東英実 (大阪大 基礎工) ,  中野茉莉央 (大阪大 基礎工) ,  山田晋也 (大阪大 基礎工) ,  金島岳 (大阪大 基礎工) ,  中島寛 (九大 産学連携セ) ,  浜屋宏平 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.11P-D7-10  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 結晶度 ,  *薄膜トランジスタ ,  *ゲルマニウム ,  半導体 ,  半導体薄膜 ,  フレキシブル基板 ,  結晶成長 ,  低温成長
準シソーラス用語： 結晶性 ,  *TFT【トランジスタ】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： プロセス ,  作製 ,  結晶性 ,  Ge ,  チャネル ,  TFT