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J-GLOBAL ID：201602202395435603   整理番号：16A0283651

Si系横型素子における室温スピン信号の増大

著者 (7件)： 岡孝保 (大阪大 基礎工) ,  石川瑞恵 (東芝 研開セ) ,  藤田裕一 (大阪大 基礎工) ,  山田晋也 (大阪大 基礎工) ,  金島岳 (大阪大 基礎工) ,  斉藤好昭 (東芝 研開セ) ,  浜屋宏平 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.21P-W241-1  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *スピン系 ,  *輸送現象 ,  *固体素子 ,  SOI構造 ,  ドーピング ,  電子ビーム蒸着 ,  信号 ,  スピン ,  注入 ,  *スピン輸送
準シソーラス用語： *スピン系素子 ,  スピン信号 ,  スピン注入 ,  *スピン伝導

分類 (1件)： その他の固体デバイス  (NC03150A)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  横型 ,  室温 ,  スピン