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J-GLOBAL ID：201602273664466273   整理番号：16A0931187

結晶性Geを用いたフレキシブル薄膜トランジスタの実証

著者 (9件)： 東英実 (大阪大 基礎工) ,  中野茉莉央 (大阪大 基礎工) ,  工藤康平 (大阪大 基礎工) ,  藤田裕一 (大阪大 基礎工) ,  山田晋也 (大阪大 基礎工) ,  金島岳 (大阪大 基礎工) ,  角田功 (熊本高専) ,  中島寛 (九大 産学連携セ) ,  浜屋宏平 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.15a-B10-5  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *結晶度 ,  *ゲルマニウム ,  *装置 ,  *薄膜トランジスタ ,  金 ,  誘導 ,  薄膜成長 ,  技術 ,  微細加工 ,  電流発生 ,  微細加工技術 ,  プラズマ電流駆動
準シソーラス用語： *結晶性 ,  *Ge ,  *フレキシブルデバイス ,  誘起 ,  薄膜結晶成長 ,  電流駆動

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶性 ,  Ge ,  薄膜トランジスタ ,  実証