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J-GLOBAL ID：201702237078176751   整理番号：17A0550238

La₂O₃/Ge(111)MIS構造に対するLu-doped La₂O₃キャップ層の効果

著者 (6件)： 銭高真人 (大阪大 基礎工) ,  古荘仁久 (大阪大 基礎工) ,  山本圭介 (九大) ,  中島寛 (九大 グローバルイノベーションセ) ,  浜屋宏平 (大阪大 基礎工) ,  金島岳 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-413-7  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MIS構造 ,  *ウエハ【IC】 ,  *酸化ランタン ,  薄膜 ,  *ルテチウム ,  *ドーピング ,  *保護膜 ,  *ゲート【半導体】 ,  結晶度 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  吸湿性
準シソーラス用語： *ゲルマニウム基板 ,  *キャップ層 ,  *ゲートスタック ,  結晶性

分類 (4件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： La2O3 ,  Ge ,  MIS構造 ,  Lu ,  キャップ層