特許

J-GLOBAL ID：201703000608554090

自立した銅薄膜の製造方法

発明者： 野田 優 ,  青井 慈喜
出願人/特許権者： JXエネルギー株式会社 ,  学校法人早稲田大学
代理人 (1件)： 川北 喜十郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-056753
公開番号（公開出願番号）：特開2016-176104
出願日： 2015年03月19日
公開日（公表日）： 2016年10月06日
要約：

【課題】より低抵抗な自立した銅薄膜を効率よく製造することが可能な銅薄膜の製造方法の提供。【解決手段】アルミニウム及び/又はシリコンと、酸素、窒素及び炭素からなる群から選ばれる少なくとも一種の元素との化合物によって構成されたセラミック材料又は炭素からなる表面を有する基板表面上に、蒸着源の温度を1200°C以上とし、不活性ガスを流通して全圧を0.001〜10Paの範囲内にして2〜30μmの範囲内の膜厚を有する銅薄膜を形成する工程S1と、形成した銅薄膜を基板表面から薄膜のまま剥離する工程S2とを含む銅薄膜の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

銅薄膜を製造する方法であって、 セラミックス材料又は炭素からなる表面を有する基板の該表面上に銅を蒸着し、銅薄膜を形成する工程と、 形成した前記銅薄膜を前記表面から薄膜のまま剥離する工程とを含む自立した銅薄膜を製造する方法。

IPC (3件)：

C23C 14/14 ,  C23C 14/58 ,  C23C 14/24

FI (3件)：

C23C14/14 D ,  C23C14/58 Z ,  C23C14/24 R

Fターム (16件)：

4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029AA08 ,  4K029AA24 ,  4K029AA27 ,  4K029BA08 ,  4K029BB07 ,  4K029BC03 ,  4K029CA01 ,  4K029DB03 ,  4K029DB13 ,  4K029DB18 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029GA05