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J-GLOBAL ID：201802231824136992   整理番号：18A0826792

凸版反転印刷電極を用いた有機トランジスタの四端子測定

Four-terminal measurement of organic transistors fabricated by reverse offset printing

著者 (9件)： 圓岡岳 (山形大 大学院有機材料システム研究科) ,  圓岡岳 (山形大 有機エレクトロニクス研究セ) ,  松井弘之 (山形大 大学院有機材料システム研究科) ,  松井弘之 (山形大 有機エレクトロニクス研究セ) ,  竹田泰典 (山形大 有機エレクトロニクス研究セ) ,  岡本朋子 (DIC) ,  田邉弘介 (DIC) ,  時任静士 (山形大 大学院有機材料システム研究科) ,  時任静士 (山形大 有機エレクトロニクス研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 9(ED2018 1-13)  ページ： 5-8  発行年： 2018年04月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 有機トランジスタの電極形成法として,高精細な印刷が可能な凸版反転印刷法を用いることで,電極間距離(チャネル長)を短くすることができる。それにより,トランジスタの高速動作化が可能となる。しかし,チャネル長を短くするにつれて,電極と半導体材料界面に生じる接触抵抗の影響を大きく受け,見かけ上の移動度が低下することがわかっている。この接触抵抗の大きさを見積もるための手法として,Transfer Line Method(TLM)法が広く用いられているが,個々のトランジスタの特性ばらつきが大きい場合,正確に抵抗値を見積もることができない。そこで接触抵抗を見積もる手法の一つである四端子測定を用いて,凸版反転印刷電極の接触抵抗およびチャネル抵抗の解析を行った。有機半導体への高分子材料添加条件によってチャネル材料の結晶性が顕著に変化し,接触抵抗の増減に大きく影響があることがわかった。また,電極と半導体間のキャリア注入障壁と接触抵抗との相関がみられた。本研究結果は,四端子測定を印刷有機トランジスタへ適用し,凸版反転印刷電極の接触抵抗を詳細に見積もることで,デバイスの高性能化に向けた大きな指針となることが期待できる。(著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  電極 ,  *接触抵抗 ,  精密測定 ,  電気抵抗 ,  四端子法
準シソーラス用語： *有機トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (4件)：

• R. Shiwaku et al., Sci. Rep. 6, 34723(2016)
• K. Fukuda et al., Adv. Electron. Mater. 1, 1400052 (2015)
• K. Fukuda et al., Adv. Electron. Mater. 1, 8 (2015)
• P.V. Pesavento et al., J. Appl. Phys. 96, 7312-7324 (2004)

タイトルに関連する用語 (4件)： 凸版 ,  反転 ,  印刷電極 ,  有機トランジスタ