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J-GLOBAL ID：201802235326730672   整理番号：18A1697705

デュアルゲート構造による高分子半導体トランジスタの実効移動度とスイッチング特性の向上

著者 (6件)： 田村真貴 (山形大 ROEL) ,  塩飽黎 (山形大 ROEL) ,  竹田泰典 (山形大 ROEL) ,  村瀬友英 (三菱ケミカル) ,  松井弘之 (山形大 ROEL) ,  時任静士 (山形大 ROEL)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.18p-PA5-11  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  特性 ,  *高分子半導体 ,  *トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  有限要素法 ,  計算機シミュレーション ,  電流電圧特性 ,  電子移動度 ,  スイッチング特性 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： *デュアルゲート ,  有機トランジスタ ,  デバイスシミュレーション

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： デュアルゲート ,  高分子半導体 ,  トランジスタ ,  移動度 ,  スイッチング特性