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J-GLOBAL ID：201802287118799536   整理番号：18A1698392

電極処理不要なp型高分子半導体を用いた相補型リングオシレータ回路

著者 (7件)： 竹田泰典 (山形大 ROEL) ,  塩飽黎 (山形大 ROEL) ,  村瀬友英 (三菱ケミカル) ,  関根智仁 (山形大 ROEL) ,  松井弘之 (山形大 ROEL) ,  熊木大介 (山形大 ROEL) ,  時任静士 (山形大 ROEL)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-145-6  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *リング発振器 ,  CMOS ,  P型半導体 ,  *高分子半導体 ,  単分子層 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  薄膜トランジスタ ,  集積回路 ,  塗布 ,  インバータ ,  自己集合単分子膜
準シソーラス用語： SAM【単分子層】 ,  *インバータ回路 ,  リングオシレータ ,  *OTFT

分類 (3件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  発振回路  (NC05020Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 高分子半導体 ,  リングオシレータ