特許

J-GLOBAL ID：201803010214086116

光触媒構造体および光電池

発明者： ピホシュ ユーリ ,  馬渡 和真 ,  嘉副 裕 ,  北森 武彦 ,  テウレケウイチ イワン
出願人/特許権者： 国立研究開発法人科学技術振興機構
代理人 (3件)： 大野 聖二 ,  梅田 慎介 ,  片山 健一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016052531
公開番号（公開出願番号）：WO2016-136374
出願日： 2016年01月28日
公開日（公表日）： 2016年09月01日
要約：

本発明で採用するヘテロ接合構造(50)では、BiVO4などの光触媒は光吸収層(40)として作用し、その厚みを数十nm以下といった比較的薄いものとすることができる。この程度に薄い光触媒であれば、光吸収により発生した電子のほとんどを、電気伝導性に優れたナノロッド(30)で収集可能であるから、光生成キャリアの収集効率は格段に向上する。このように、本発明によれば、BiVO4をはじめとする光触媒を用いた従来の光電池の特性を遥かに凌ぐ優れた光電池を作製することが可能となる。

請求項（抜粋）：

表面が導電性を有する基体上に、 導電性を有する円柱状のナノロッドであって平均半径がR1のナノロッドが単位面積(μm2)当たりN本の密度で実質的に均一にアレイ状に設けられており、 前記ナノロッドの表面は、光触媒作用を有する光吸収体膜により、平均表面被覆率Cで80%以上が被覆されて平均半径がR2のヘテロ接合ナノロッドを構成しており、 前記ナノロッドのバンドギャップEgAは前記光吸収体のバンドギャップEgBより広く(EgA>EgB)、且つ、前記ナノロッドの価電子バンドのエネルギーEcAは前記光吸収体の価電子バンドのエネルギーEcBよりも低く(EcA IPC (4件)：

B01J 35/02 ,  C01B 3/04 ,  B01J 27/199 ,  H01G 9/20

FI (7件)：

B01J35/02 J ,  C01B3/04 A ,  B01J27/199 M ,  H01G9/20 111A ,  H01G9/20 307 ,  H01G9/20 111B ,  H01G9/20 317

Fターム (44件)：

4G169AA02 ,  4G169BA14B ,  4G169BA48A ,  4G169BB04A ,  4G169BB04B ,  4G169BB06A ,  4G169BB06B ,  4G169BB14A ,  4G169BB14B ,  4G169BB20A ,  4G169BC18A ,  4G169BC25A ,  4G169BC25B ,  4G169BC26A ,  4G169BC35A ,  4G169BC42A ,  4G169BC43A ,  4G169BC54A ,  4G169BC54B ,  4G169BC55A ,  4G169BC56A ,  4G169BC58A ,  4G169BC59A ,  4G169BC60A ,  4G169BC60B ,  4G169BC66A ,  4G169BC67A ,  4G169BC67B ,  4G169BD02A ,  4G169BD06A ,  4G169CC33 ,  4G169EA06 ,  4G169EA08 ,  4G169EB14X ,  4G169EB14Y ,  4G169EB15X ,  4G169EB15Y ,  4G169HA01 ,  4G169HA02 ,  4G169HB06 ,  4G169HC02 ,  4G169HC29 ,  4G169HD12 ,  4G169HE09