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J-GLOBAL ID：202002261597648039   整理番号：20A2238807

source-gated構造によるn型有機トランジスタの高利得化

High-Gain N-type Organic Transistors Using Source-Gated Structure

著者 (5件)： 逸見悠大 (山形大 ROEL) ,  SPOREA Radu A. (Univ. Surrey) ,  竹田泰典 (山形大 ROEL) ,  松井弘之 (山形大 ROEL) ,  時任静士 (山形大 ROEL)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.14p-A410-8  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】電界効果トランジスタ(FET)の一種であるsource-gatedトランジスタ(SGT)では、ソース電極と有機半導体の間に意図的にショットキー接合を形成し、ソース電極近傍の空乏層によって電流を制御する。SGTの利点は、低電圧でのピン...【本文一部表示】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  仕事関数 ,  増幅器 ,  電流 ,  *トランジスタ ,  有機半導体 ,  FET【トランジスタ】 ,  *利得 ,  空乏層 ,  インクジェット印刷 ,  絶縁膜 ,  相互コンダクタンス ,  ピンチオフ ,  薄膜形成
準シソーラス用語： *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 有機トランジスタ ,  高利得