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J-GLOBAL ID：202002268428293743   整理番号：20A2236858

低エネルギーF⁺イオンおよびFラジカル照射によるY₂O₃表面フッ化

Surface fluorination of Y₂O₃ irradiated by low energy F⁺ ion and F radical

著者 (9件)： KANG Hojun (大阪大 大学院) ,  伊藤智子 (大阪大 大学院) ,  UM Junghwan (Samsung Electronics) ,  KOKURA Hikaru (Samsung Electronics) ,  KANG Taekyun (Samsung Electronics) ,  CHO Sungil (Samsung Electronics) ,  PARK Hyunjung (Samsung Electronics) ,  唐橋一浩 (大阪大 大学院) ,  浜口智志 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.12p-A205-12  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [背景]Y2O3はプラズマ耐性が高く、従来から使用されているAl2O3に替わってプラズマを用いた半導体製造装置内部の部材として使用され始めている。しかしながら、プロセスの安定性に大きな影響を与えている反応性プラズマに含まれるイオンおよび反...【本文一部表示】

シソーラス用語： *イオン ,  イオンビーム ,  プラズマ ,  *ラジカル ,  化学反応 ,  アルミナ ,  スペクトル ,  イオン照射 ,  X線光電子分光法 ,  界面化学 ,  *低エネルギー ,  反応性プラズマ ,  入射エネルギー ,  フッ素原子
準シソーラス用語： 半導体製造装置 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低エネルギー ,  イオン ,  ラジカル照射 ,  Y2O3