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J-GLOBAL ID：202102234433239095   整理番号：21A0607330

ULSI銅配線用バリア層形成における無電解NiBめっきプロセス

著者 (5件)： 野中佑一 (早稲田大 理工) ,  吉野正洋 (早稲田大 理工) ,  横島時彦 (早稲田大 理工) ,  中西卓也 (早稲田大 理工) ,  逢坂哲彌 (早稲田大 理工)
資料名： エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集  (Proceedings of the JIEP Annual Meeting)
巻： 17th (Web)  ページ： ROMBUNNO.12A-12(J-STAGE)  発行年： 2003年 
JST資料番号： X0498A  ISSN： 1346-2199  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ULSI銅配線には,CuのSiへの拡散防止のため乾式法により成膜したTiN等がバリア層として用いられている.しかし今後の更なる配線の微細化に際し,乾式法では均一性やコスト面等の問題が懸念される.そこで我々はオールウェットプロセスでのULSI配線の形成を目的とし,均一析出性及びステップカバレッジに優れた無電解めっき法によるバリア層作製の検討を行ってきた.以前の検討において,有機単分子膜を成膜したSiO₂上に無電解NiBめっきを行う為に必要な触媒化,成膜条件について検討を行った.本検討ではより詳細な成膜条件の検討を行い,さらに湿式法によりCuめっき膜を作製し,NiB膜のバリア特性評価の検討を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *超LSI ,  配線 ,  被覆層 ,  *無電解めっき ,  ホウ素化合物 ,  半導体プロセス ,  エレクトロマイグレーション ,  電気伝導 ,  湿式法 ,  薄膜成長 ,  膜厚 ,  熱安定性 ,  ケイ素化合物 ,  単分子層 ,  パラジウム触媒 ,  被覆率 ,  製膜 ,  アミノシラン ,  自己集合単分子膜
準シソーラス用語： ULSI ,  *銅配線 ,  *バリア層 ,  *無電解NiBめっき ,  SAM【単分子層】 ,  ステップカバレッジ

分類 (2件)： 無電解めっき  (WC08024S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： ULSI ,  銅配線 ,  バリア層 ,  電解 ,  めっきプロセス