文献

J-GLOBAL ID：202102252920448686   整理番号：21A2480859

延長ゲート型有機トランジスタによる超フレキシブル近接センサ

著者 (6件)： 松井弘之 (山形大 工) ,  和田英樹 (山形大 工) ,  庄司樹 (山形大 工) ,  宇都滉大 (山形大 工) ,  竹田泰典 (山形大 工) ,  杉本俊之 (山形大 工)
資料名： Molecular Electronics and Bioelectronics (Web)  (Molecular Electronics and Bioelectronics (Web))
巻： 32  号： 2  ページ： 50-53 (WEB ONLY)  発行年： 2021年06月18日 
JST資料番号： U2491A  ISSN： 2423-8805  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・このセンサの動作原理は箔検電器と類似しており,箔検電器では,負に帯電した物体が近づくと内部に正と負の電荷を誘起。
・本センサにおいては,負に帯電した物体が延長ゲートに近づくと,延長ゲートには正の電荷,ゲート電極には負の電界を誘起。
・有機半導体層には正の電荷を持つ正孔キャリアが誘起され,p型有機半導体の場合には電気伝導度によりドレイン電流が増加。
・有機トランジスタを用いて準静電界を検出し,近接センサとして応用することを検討。
・有機トランジスタに浮遊延長ゲート構造を設けて外部電界に対する感度を向上させ,さらに4×4のパッシブマトリックスを構築し,μmの厚さのデバイスでヒトの手の近接を2次元的にセンシングすることに成功。
・4×4パッシブマトリックスは手の位置や大きさを正しく反映しており,極薄状態においてもセンサが正常に機能していることが判明。
・最小で約200Vまでは明瞭なイメージングを行うことができたが,今後はより低電位状態でも検出可能とするための感度向上が必要。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *センサ ,  静電気 ,  ポリキシリレン ,  ゲート【半導体】 ,  非接触測定 ,  *近接センサ ,  パリレン
準シソーラス用語： *有機トランジスタ ,  ドレイン電流 ,  *箔検出器

分類 (1件)： 計測機器一般  (AD02000X)

引用文献 (9件)：

• R. D. Fields: “The Shark’s Electric Sense”, Sci. Am., 297 (2007) 74-81.
• R. Shiwaku et al.: “Printed Organic Inverter Circuits with Ultralow Operating Voltages”, Adv. Electron. Mater., 3 (2017) 1600557.
• H. Wang et al.: “Ultrasensitive Flexible Proximity Sensor Based on Organic Crystal for Location Detection”, ACS Appl. Mater. & Interf., 10 (2018) 2785-2792.
• W. Liu et al.: “High-Performance Proximity Sensors with Nanogroove-Template-Enhanced Extended-Gate Field-Effect Transistor Configuration”, Adv. Electron. Mater., 5 (2019) 1900586.
• W. Liu et al.: “Ferroelectric Polarization Enhancement of Proximity Sensing Performance in Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors”, ACS Appl. Electron. Mater., 2 (2020) 3443-3453.

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲート ,  有機トランジスタ ,  近接センサ