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J-GLOBAL ID:202302219802434358   整理番号:23A0415036

有機FETによるフレキシブル静電界センサ

Electrostatic Field Sensors Using Organic Field-Effect Transistors
著者 (6件):
資料名:
巻: 2022  ページ: 147-148  発行年: 2022年 
JST資料番号: F0983B  ISSN: 1342-1492  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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・高分子膜基材,銀ナノ粒子インクジェット印刷電極,分注印刷有機半導体層(DTBDT-C6),真空蒸着パリレン絶縁層有機FETの作製。
・作製した有機FETのソース-ドレイン(S-D)間への-2kV金属球の接近により有機FETのS-D間電流が変動することの観察。
・有機FETの柔軟性と低温プロセスを用いた薄膜静電場センサに80V以上で帯電した人の手を2cmに近づけ,明確な信号の取得の確認。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (1件):
分類
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静電気学,静磁気学 
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
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