Si<sub>2</sub>H<sub>6</sub>を用いた核付け法によるHSG-Siの形成

文献

J-GLOBAL ID：200902001583036316 整理番号：92A0123206

Si₂H₆を用いた核付け法によるHSG-Siの形成

Hemispherical grained Si growth using Si₂H₆ pre-deposition.

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資料名：
巻： 52nd 号： 2 ページ： 763 発行年： 1991年10月
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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