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J-GLOBAL ID：200902048841387176   整理番号：90A0919548

超高真空固相成長法による多結晶シリコン層の形成

Formation of poly-crystalline Si layer by ultra high vacuum solid phase growth.

著者 (5件)： 酒井朗 (日本電気) ,  辰巳徹 (日本電気) ,  新野多恵子 (日本電気) ,  小野春彦 (日本電気) ,  石田宏一 (日本電気)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 51st  号： 2  ページ： 601  発行年： 1990年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高真空 ,  固相成長 ,  多結晶シリコン層