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J-GLOBAL ID：200902118863480810   整理番号：98A0167712

C₆₀を用いたSiC薄膜の成長機構

SiC film formation from C60 monolayer on Si surface.

著者 (7件)： 坂本一之 (東北大 大学院) ,  鈴木利尚 (東北大 大学院) ,  原田昌史 (東北大 大学院) ,  芦間英典 (東北大 大学院) ,  脇田高徳 (東北大 大学院) ,  粕谷厚生 (東北大 金材研) ,  須藤彰三 (東北大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(分科会)  (日本物理学会分科会講演予稿集)
巻： 1997  号： 第2分冊  ページ： 342  発行年： 1997年09月 
JST資料番号： S0872B  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： C60 ,  SiC ,  薄膜 ,  成長