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J-GLOBAL ID：200902122282307731   整理番号：94A0902855

Siの結晶粒成長に及ぼす表面吸着水素の効果

Effect of atomic hydrogen on Si growth on SiO2 layers.
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著者 (3件)：
酒井朗

酒井朗 について

(NEC)

NEC について

, 
忍田真希子

忍田真希子 について

(NEC)

NEC について

, 
辰巳徹

辰巳徹 について

(NEC)

NEC について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 55th  号： 2  ページ： 697  発行年： 1994年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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Si

Si について

, 
結晶粒成長

結晶粒成長 について

, 
表面吸着

表面吸着 について

, 
水素

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