文献
J-GLOBAL ID:200902125467688498
整理番号:98A0001227
ハイドライドVPEによる低欠陥厚膜GaNの成長
Thick GaN crystal growth with low defect density by hydride vapor phase epitaxy.
-
出版者サイト
複写サービスで全文入手
-
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0001227&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}