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J-GLOBAL ID：200902130978296230   整理番号：96A0435306

4軸X線回折装置を用いたGaAs(100)基板上GaN膜の構造解析

X-ray diffraction measurements of GaN films on GaAs(100) substrates by 4-circle diffractometer.

著者 (7件)： 山口敦史 (NEC 基礎研) ,  真子隆志 (NEC 基礎研) ,  酒井朗 (NEC 基礎研) ,  砂川晴夫 (NEC 基礎研) ,  木村明隆 (NEC 光エレクトロニクス研) ,  仁道正明 (NEC 光エレクトロニクス研) ,  碓井彰 (NEC 基礎研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 43rd  号： 1  ページ： 295  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： X線回折 ,  GaAs ,  GaN ,  構造解析