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J-GLOBAL ID：200902139532056632   整理番号：94A0068958

Si(001)面上のGeのStranski-Krastanov成長における欠陥とアイランド構造の形成

Defect and island formation in Stranski-Krastanov growth of Ge on Si(001) surfaces.

著者 (2件)： 酒井朗 (日本電気 マイクロエレクトロニクス研) ,  辰巳徹 (日本電気 マイクロエレクトロニクス研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(分科会)  (日本物理学会分科会講演予稿集)
巻： 1993  号： Autumn Pt 2  ページ： 532  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： S0872B  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  Stranski-Krastanov成長 ,  欠陥 ,  アイランド