文献

J-GLOBAL ID：200902144623278739   整理番号：95A0570089

Ge(001)2×1:H表面におけるSi/Ge界面形成機構

Si/Ge interface formation mechanism on Ge(001)2*1:H.

著者 (4件)： 五十嵐信行 (NEC マイクロエレクトロニクス研) ,  押山淳 (NEC マイクロエレクトロニクス研) ,  酒井朗 (NEC 基礎研) ,  辰巳徹 (NEC マイクロエレクトロニクス研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 42nd  号： Pt 1  ページ： 285  発行年： 1995年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ge ,  Si ,  界面