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J-GLOBAL ID：200902151065031256   整理番号：98A0495798

選択成長させたGaN膜中の欠陥構造のTEM観察

Defect structure of GaN films grown by selective epitaxy.

著者 (4件)： 酒井朗 (NEC) ,  砂川晴夫 (NEC) ,  木村明隆 (NEC) ,  碓井彰 (NEC)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 45th  号： 1  ページ： 303  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： 選択成長 ,  GaN ,  欠陥構造 ,  TEM観察