文献

J-GLOBAL ID：200902154706934978   整理番号：96A0947968

HVPEによるGaAs基板上のGaNヘテロエピ構造評価

Structural characterization of GaN films on GaAs substrates grown by HVPE.

著者 (5件)： 山口敦史 (NEC 基礎研) ,  酒井朗 (NEC 基礎研) ,  真子隆志 (NEC 基礎研) ,  砂川晴夫 (NEC 基礎研) ,  碓井彰 (NEC 基礎研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 57th  号： 0  ページ： 1253  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： HVPE ,  GaAs基板 ,  GaN ,  構造評価