酸素プラズマ処理を用いたTa<sub>2</sub>O<sub>5</sub>容量薄膜の形成

文献

J-GLOBAL ID：200902165008373230 整理番号：94A0179776

酸素プラズマ処理を用いたTa₂O₅容量薄膜の形成

Ultra-Thin Ta₂O₅ Capacitor Process Technology by using O₂-Plasma Annealing.

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資料名：
巻： 54th 号： 2 ページ： 686 発行年： 1993年09月
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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