Si基板上SiGe薄膜の歪と欠陥の制御

文献

J-GLOBAL ID：200902169457876358 整理番号：02A0076658

Strain and defect engineering in Ge and SiGe films on Si substrates.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 61st ページ： 91-96 発行年： 2001年12月13日
JST資料番号： F0108B 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

Si(001)基板上に高品質GeおよびSiGe歪緩衝層を形成...

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半導体薄膜 , 固体デバイス材料

引用文献 (7件)：

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