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J-GLOBAL ID：200902172980081386   整理番号：98A0481568

HVPEによるGaN厚膜中の残留歪み

Residual strain in GaN thick films grown by HVPE.

著者 (6件)： 山口敦史 (NEC 基礎研) ,  小林憲司 (NEC 基礎研) ,  酒井朗 (NEC 基礎研) ,  望月康則 (NEC 基礎研) ,  砂川晴夫 (NEC) ,  碓井彰 (NEC)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 45th  号： 1  ページ： 350  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： HVPE ,  GaN ,  厚膜 ,  残留歪み