文献

J-GLOBAL ID：200902224802667415   整理番号：09A0082541

n型GaNの表面の電気的性質に及ぼす炭素混入の効果

Effect of carbon incorporation on electrical properties of n-type GaN surfaces

著者 (2件)： KIMURA Takeshi (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Sci. and Technol. ...) ,  HASHIZUME Tamotsu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Sci. and Technol. ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 105  号： 1  ページ： 014503  発行年： 2009年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiN_x/CN_x/GaN構造を高温でアニールして,n-GaN中に故意に混入させた炭素(C)が,n-GaNの表面の電気的性質に及ぼす効果を調べた。X線光電子分光から,高温アニール時におけるGaN面からのGa原子の外方拡散は,SiN_x層が存在しても起きることが分かった。C混入試料を使ったSchottkyダイオードでは,電流-電圧特性の順方向及び逆方向電流が著しく増大した。順方向及び逆方向電流は150~300Kの範囲では温度に依存しなかった。C混入試料の電流-電圧曲線は順方向,逆方向とも,浅いドナーが表面から指数関数的に減少するように分布していると仮定することによりほぼ完全に再現された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  N型半導体 ,  *炭素 ,  汚染物質 ,  Schottky障壁ダイオード ,  *電流電圧特性 ,  汚染 ,  ドナー ,  X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： 表面汚染

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  電気的性質 ,  炭素 ,  混入