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J-GLOBAL ID：200902254954189906   整理番号：07A0679674

in situ有機金属化学気相成長法により調製したSiN_x/AlGaN界面に関する化学特性およびポテンシャル湾曲特性

Chemical and Potential Bending Characteristics of SiN_x/AlGaN Interfaces Prepared by In situ Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

著者 (5件)： OGAWA Eri (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  HASHIZUME Tamotsu (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  NAKAZAWA Satoshi (Matsushita Electric Industrial Co., Osaka, JPN) ,  UEDA Tetsuzo (Matsushita Electric Industrial Co., Osaka, JPN) ,  TANAKA Tsuyoshi (Matsushita Electric Industrial Co., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 46  号： 20-24  ページ： L590-L592  発行年： 2007年06月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,有機金属化学気相成長法で調製したin situ S...

シソーラス用語： 化合物半導体 ,...
準シソーラス用語： プラズマプロセシング ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学気相成長法 ,  調製 ,  AlGaN ,  界面 ,  化学特性 ,  ポテンシャル ,  湾曲