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J-GLOBAL ID：200902261605459404   整理番号：09A0384083

グリコール溶液中での光電気化学酸化によるn-GaN系構造の電子特性と光学特性の改良

Improvements of electronic and optical characteristics of n-GaN-based structures by photoelectrochemical oxidation in glycol solution

著者 (2件)： SHIOZAKI Nanako (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Sci. and Technol. ...) ,  HASHIZUME Tamotsu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) and Graduate School of Information Sci. and Technol. ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 105  号： 6  ページ： 064912  発行年： 2009年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子特性と光学特性を改良するためにグリコール溶液中で光電気化学酸化法を適用することによってn-GaNの表面制御を行った。酸化の基本的性質を調べた。X線光電子分光法とマイクロAuger分光法によって酸化,化学組成および結合状態を分析して表面における酸化ガリウムの形成を確認した。4mW/cm²のUV照射の下での酸化物の形成速度は約8nm/minであった。n-GaNの酸化を制御するための基本的性質を確立した後で表面制御法を適用してAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの低損傷エッチング,光ルミネセンス強度の促進および空気露出側壁の選択的パッシベーションを達成した。容量-電圧測定によってGaNと陽極酸化物の間の最小界面状態密度が約5×10¹¹cm^-2eV^-1であることが判明したが,これは化合物半導体の値としてはいくらか低い方である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  *酸化 ,  *光電気化学反応 ,  溶液 ,  反応速度 ,  HEMT ,  表面準位 ,  状態密度 ,  X線光電子スペクトル ,  光ルミネセンス ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  窒化ガリウム ,  *表面 ,  不動態化 ,  Augerスペクトル ,  脂肪族アルコール ,  ジオール
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  電気化学反応  (CB07050F)

物質索引 (1件)： グリコール

タイトルに関連する用語 (7件)： グリコール ,  溶液 ,  光電気化学 ,  酸化 ,  GaN ,  電子 ,  光学特性