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J-GLOBAL ID：200902263266567289   整理番号：07A1172616

Si圧痕のラマン分光解析

Raman Scattering Spectroscopy of Si Indentation

著者 (6件)： 柳沢雅広 (早稲田大 生命医療工研) ,  久保暢宏 (早稲田大 理工学術院) ,  阪田薫穂 (早稲田大 理工学術院) ,  加藤真裕 (早稲田大 理工学術院) ,  本間敬之 (早稲田大 理工学術院) ,  逢坂哲彌 (早稲田大 理工学術院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 107  号： 272(EMD2007 56-68)  ページ： 51-54  発行年： 2007年10月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si表面に形成した三角錐圧痕について,共焦点型ラマン分光装置...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： イメージング分析 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (4件)：

• HOMMA, T. Maskless and electroless fabrication of patterned metal nanostructures on silicon wafers by controlling local surface activities. Electrochim. Acta. 2003, 48, 3115-3122
• 石塚典男. 半導体デバイスの応力測定を目的とした紫外レーザーラマン応力測定装置の開発. 日本機械学会論文誌 (A編). 1996, 62, 604, 106-112
• 小林博文. 顕微レーザーラマン分光法を用いた単結晶シリコンの残留応力の評価. 塑性加工学会誌. 1994, 38, 4, 205-210
• 中島信一. ラマン散乱分光法によるシリコンのひずみ・応力評価. 応用物理. 2006, 75, 10, 1224-1231

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  圧痕 ,  ラマン分光 ,  解析