文献

J-GLOBAL ID：200902267949903662   整理番号：09A0402563

TlInGaAsN/TlInP構造の超短周期横組成変調

Ultrashort-period lateral composition modulation in TlInGaAsN/TlInP structures

著者 (6件)： ISHIMARU Manabu (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Osaka 567-0047, JPN) ,  TANAKA Yuusuke (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Osaka 567-0047, JPN) ,  HASEGAWA Shigehiko (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Osaka 567-0047, JPN) ,  ASAHI Hajime (Inst. of Scientific and Industrial Res., Osaka Univ., Osaka 567-0047, JPN) ,  SATO Kazuhisa (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Miyagi 980-8577, JPN) ,  KONNO Toyohiko J. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Miyagi 980-8577, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 15  ページ： 153103  発行年： 2009年04月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガス源分子線エピタクシーを用いてTlInGaAsN/TlInP量子井戸構造を作製し,透過電子顕微鏡と走査透過電子顕微鏡によってそれらを評価した。周期約1nmの自然形成垂直量子井戸(いわゆる横組成変調(LCM))がTlInGaAsN層中に形成することが分かった。逐次層成長の簡単な動的Isingモデルを用いてそれらの形成プロセスを議論し,超短周期LCMの形成がエピタキシャル成長III-V半導体合金のほとんどにおいて一般的現象であることを指摘した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *タリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  *窒化物 ,  *リン化物 ,  横方向 ,  化学組成 ,  MBE成長 ,  量子井戸 ,  透過型電子顕微鏡 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  垂直 ,  Ising模型 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： ガス源分子線エピタキシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 短周期 ,  組成 ,  変調