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J-GLOBAL ID：200902295125351524   整理番号：08A0194385

GaAsナノワイヤ3分岐接合の非線形特性制御と論理ゲートへの応用

Control of Nonlinear Characteristics in GaAs-based Three-terminal Nanowire Junction Devices and Its Application to Logic Gates

著者 (4件)： RAHMAN Shaharin Fadzli Abd ,  白鳥悠太 ,  葛西誠也 (JST-PREST) ,  葛西誠也
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 107  号： 473(ED2007 237-251)  ページ： 33-38  発行年： 2008年01月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ナノワイヤ3分岐接合は,室温において非線形な電気的特性を示し,ナノワイヤを適用した論理集積回路の構成要素として有用である。本研究ではGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの試作と評価を通し,非線形特性のメカニズムについて検討する。また,デバイス特性をショットキーラップゲート(WPG)により制御することを試みる。さらに,3分岐接合の論理回路応用として,NAND回路の試作評価を行った結果について述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  *ナノ構造 ,  *細線 ,  *枝分れ ,  *非線形性 ,  *NAND回路 ,  Schottky障壁 ,  Fermi準位 ,  *集積回路 ,  ピン止め ,  表面電位 ,  ナノワイヤ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  ナノワイヤ ,  分岐 ,  非線形特性 ,  論理ゲート ,  応用