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J-GLOBAL ID：200902297710738003   整理番号：08A0575014

金属/絶縁体/AlGaN/GaNヘテロ構造キャパシタのC-V挙動に及ぼす界面準位および温度の効果

Effects of interface states and temperature on the C-V behavior of metal/insulator/AlGaN/GaN heterostructure capacitors

著者 (4件)： MICZEK Marcin (Res. Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information Engineering ...) ,  MIZUE Chihoko (Res. Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information Engineering ...) ,  HASHIZUME Tamotsu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information Engineering ...) ,  ADAMOWICZ Boguslawa (Inst. of Physics, Silesian Univ. of Technol., Krzywoustego 2, 44-100 Gliwice, POL)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 103  号： 10  ページ： 104510  発行年： 2008年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属/絶縁体/AlGaN/GaNヘテロ構造(MISH)キャパシタの容量-電圧(C-V)特性に絶縁体/AlGaN界面の準位が及ぼす影響を,Poisson方程式の数値解を用い,界面準位からの電子放出率を考慮して調べた。25nm厚のAlGaN層を有するMISH素子では,SiN_x/AlGaN界面の準位密度D_it(E)が増大すると,理論C-V曲線は典型的な勾配変化ではなく平行にシフトした。このような振る舞いは,ゲートバイアスがしきい値電圧に近いと,SiN_x/AlGaN界面におけるFermi準位の位置が,AlGaNの価電子帯上端の下にくることと,電子放出率が小さいために深い界面トラップがゲート電圧に対して鈍感であることに起因する。理論C-V曲線の典型的な伸張は,AlGaN層が非常に薄いMISH構造でのみ300°Cで見られた。室温および300°Cで測定した,SiN_x/Al₂O₃/AlGaN/GaN構造の実験C-V曲線を解析し,D_it(E)の一部を求めた。バンドギャップの上部ではD_itは低く(~10¹¹eV^-1cm^-2),このことはSiN_x/Al₂O₃層が高温・高出力AlGaN/GaN系素子のゲート絶縁体としても,AlGaN面の不動態化皮膜としても使えることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MIS構造 ,  窒化ケイ素 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  *容量電圧特性 ,  *表面準位 ,  温度依存性 ,  ヘテロ接合 ,  数値計算 ,  粒子放出
準シソーラス用語： キャリア放出 ,  *界面準位 ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁体 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  キャパシタ ,  挙動 ,  界面準位