特許
J-GLOBAL ID：200903018120994974
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-267135
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099617
出願日： 2007年10月12日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1の面11aにアルミニウム膜12と、ニッケル系合金膜13と、金膜14とが積層されたボンディングパッド15を有する半導体チップ11を形成する工程と、第1の面11aと反対の第2の面11bを基板16側にして、半導体チップ14を基板16上に載置する工程と、ボンディングパッド15にピン32を斜めに当接し、基板16をピン32に対して相対的に上昇させ、ピン32の先端を水平方向にスライドさせることにより、金膜14の表層を除去する工程と、表層が除去された金膜14に接続導体18を接合する工程と、を具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の面にアルミニウム膜と、ニッケル系合金膜と、金膜とが積層されたボンディングパッドを有する半導体チップを形成する工程と、
前記第1の面と反対の第2の面を基板側にして、前記半導体チップを前記基板上に載置する工程と、
前記ボンディングパッドにピンを斜めに当接し、前記基板を前記ピンに対して相対的に上昇させ、前記ピンの先端を水平方向にスライドさせることにより前記金膜の表層を除去する工程と、
前記表層が除去された金膜に接続導体を接合する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5F044AA02
, 5F044CC01
, 5F044EE06
, 5F044FF04
