特許

J-GLOBAL ID：200903058975307224

磁気抵抗効果素子の製造方法

発明者： 林 一彦 ,  深見 栄三 ,  大橋 啓之 ,  中田 正文 ,  永原 聖万 ,  本庄 弘明 ,  石原 邦彦 ,  藤方 潤一 ,  森 茂
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-186909
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008213
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 フリー層に十分な縦バイアスを印加すると共に、センス電流の感磁部バイパスによる出力低下を防止するようにした、MR素子の製造方法。【解決手段】 フリー層/非磁性層(バリア層)/固定層を含む磁気抵抗効果膜を備えたシールド型MR素子の製造方法において、下電極上に縦バイアス層を形成してパターン化すると共に、磁気抵抗効果膜を積層してパターン化した後、磁気抵抗効果膜パターンの周囲に絶縁層を形成する。

請求項（抜粋）：

フリー層を含む磁気抵抗効果膜を備えたシールド型磁気抵抗効果素子の製造方法において、下電極上に縦バイアス層を形成する工程と、縦バイアス層をパターン化する工程と、縦バイアス層のパターンの間の領域において、下電極上に磁気抵抗効果膜を順次積層させる工程と、磁気抵抗効果膜をパターン化する工程と、磁気抵抗効果膜パターンに接するように、周囲に絶縁層を形成する工程と、上電極を形成する工程とを有し、かつ、縦バイアス層のパターン化工程と、磁気抵抗効果膜のパターン化工程とが、互いに異なるフォトマスクによるフォトレジスト工程を含んでいることを特徴とする、磁気抵抗効果素子の製造方法。

IPC (5件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (5件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (18件)：

2G017AD55 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034CA04 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AB03 ,  5E049BA06 ,  5E049BA11 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気トンネル接合装置及び磁気抵抗読取りヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-277705   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用した装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-264464   出願人：日本電気株式会社