特許
J-GLOBAL ID：200903041467487900
磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用した装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-264464
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101164
出願日： 1998年09月18日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 非磁性層が平坦に作成することによって、抵抗変化率が高い磁気抵抗変化素子を提供すること、さらに、記録再生出力及びS/Nが高い磁気抵抗効果センサ及びシステムを提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上に下シールド層2、下電極層3、磁気抵抗効果素子4、上シールド層5、上電極層6、を積層させている。磁気抵抗効果素子4はPR工程により適当な大きさ及び形状にパターン化されており、その端部に接するように(後述する図4参照)あるいは一部接するように縦バイアス層7が配置されている。この磁気抵抗効果素子4は、自由磁性層/非磁性非導電層/固定磁性層/固定させる層、を基本構成とし、自由磁性層や固定磁性層がCoFeB、CoZrMo、CoZrNb、CoZr、CoZrTa、CoHf、CoTa、CoTaHf、CoFeTi、CoNbHf、CoHfPd、CoTaZrNb、CoZrMoNiからなるアモルファス材料を用いている。その結果、非磁性層が平坦になり、抵抗変化率が向上する。
請求項（抜粋）：
少なくとも自由磁性層/非磁性非導電層/固定磁性層/固定させる層、を基本構成とするトンネル接合素子において、前記自由磁性層もしくは前記固定磁性層の少なくとも一部に、CoFeB、CoZrMo、CoZrNb、CoZr、CoZrTa、CoHf、CoTa、CoTaHf、CoFeTi、CoNbHf、CoHfPd、CoTaZrNb、CoZrMoNiからなるアモルファス材料を用いることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/32
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/08 A
, G01R 33/06 R
2G017AC01
, 2G017AC06
, 2G017AC08
, 2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 2G017BA15
, 5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA08
, 5D034BA15
, 5D034BB08
, 5E049AA04
, 5E049AA09
, 5E049AC00
, 5E049AC01
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
