特許
J-GLOBAL ID：200903074397897582

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
ヘミンク・ゲルトヤン

ヘミンク・ゲルトヤン について

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丹沢 徹

丹沢 徹 について

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田中 智晴

田中 智晴 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311740
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169284
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】【目的】 十分な書き込み電圧Vppマージンを確保することができると共に、メモリセルのしきい値分布幅を狭くすることができ、かつ高速に電子注入を行うことができるEEPROMを提供すること。【構成】 半導体層上に浮遊ゲートと制御ゲートを積層して構成された電気的書き替え可能なメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを有し、制御ゲートと半導体層との間にしきい値変動パルスを時間Δtの間印加するしきい値変動動作と、メモリセルのしきい値変動パルス印加後の状態を検知するしきい値ベリファイ動作とを、メモリセルのしきい値が所望の値に達するまで繰り返すEEPROMにおいて、しきい値変動パルスを、しきい値変動動作の度にパルス波高増分ΔVppだけ高め、所望のしきい値に達したメモリセルのしきい値分布幅が|ΔVpp|となるように電気的にデータ書き込みを行うこと。
請求項（抜粋）：
半導体層上に電荷蓄積層と制御ゲートを積層して構成された電気的書き替え可能なメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイ中の任意の個数のメモリセルのしきい値を変動させるため、前記制御ゲートと前記半導体層との間にしきい値変動電圧パルスを時間Δt0 の間印加するしきい値変動手段と、前記任意の個数のメモリセルの前記しきい値変動電圧パルス印加後の状態を検知するしきい値ベリファイ手段と、前記任意の個数のメモリセルのうち、所望のしきい値に達していないしきい値変動不十分のメモリセルに対して、しきい値変動電圧パルスを時間Δtの間印加し、再びしきい値を変動させる再しきい値変動手段とを備え、前記しきい値変動手段によるしきい値変動動作と前記しきい値ベリファイ手段によるしきい値ベリファイ動作の後、前記再しきい値変動手段による再しきい値変動動作と前記しきい値ベリファイ動作を、メモリセルのしきい値が前記所望の値に達するまで繰り返す不揮発性半導体記憶装置において、前記しきい値変動電圧パルスを、前記再しきい値変動動作の度にパルス波高増分ΔVppだけ高め、前記所望のしきい値に達したメモリセルのしきい値分布幅が|ΔVpp|となるように電気的にデータ消去或いはデータ書き込みを行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 16/06 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
G11C 17/00 510 D ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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