半導体集積回路装置およびその駆動方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾身祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-038972
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230326
出願日： 2000年02月17日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】配線に付く寄生容量を低減して動作高速化を図る。チップあたりに搭載可能な基本セルやニューロンを増やし、適用範囲の広いプログラマブルデバイスやニューロデバイスを提供する。【解決手段】配線経路を変更する機能を果たすトランスファゲートの全てもしくは一部を選択的に絶縁体上に形成する。それらは、層間絶縁膜28内のTFT(34,35、36)であり、トランスファゲートはプログラマブルデバイスの基本ゲートの入出力信号の選択スイッチであったり、ニューロデバイスの結合シナプスの選択スイッチであったりする。プログラマブルな或いは固定の論理ゲートはバルク型デバイスとしてシリコン基板表面に形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも一部の素子が半導体基板の表面部分に形成された複数の機能ブロックと、前記複数の機能ブロック間の接続経路を変更することのできる1ないし複数のトランスファゲートと、を備える半導体集積回路装置において、前記トランスファゲートの少なくとも一部は前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/82 , H01L 27/00 301 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 27/00 301 A , H01L 21/82 A , H01L 27/08 102 E , H01L 29/78 613 A

Fターム (22件)：

5F048AA01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048CB01 , 5F048CB07 , 5F064AA08 , 5F064BB02 , 5F064BB12 , 5F064BB26 , 5F064BB40 , 5F064CC09 , 5F064DD05 , 5F064DD14 , 5F064EE23 , 5F064EE43 , 5F064FF36 , 5F110AA02 , 5F110AA30 , 5F110BB03 , 5F110BB13 , 5F110CC02 , 5F110GG22

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭64-079862
転写薄膜回路を使用した3次元プロセッサー
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-510460 出願人：コピン・コーポレーシヨン

審査官引用 (2件)

特開昭64-079862
転写薄膜回路を使用した3次元プロセッサー
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-510460 出願人：コピン・コーポレーシヨン

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