特許
J-GLOBAL ID：200903083316725250

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
ヘミンク・ゲルトヤン

ヘミンク・ゲルトヤン について

, 
丹沢 徹

丹沢 徹 について

, 
田中 智晴

田中 智晴 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-332053
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006053
出願日： 2003年09月24日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】 十分な書き込み電圧Vppマージンを確保することができると共に、メモリセルのしきい値分布幅を狭くすることができ、かつ高速に電子注入を行うことができるEEPROMを提供すること。【解決手段】 半導体層上に浮遊ゲートと制御ゲートを積層して構成された電気的書き替え可能なメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを有し、制御ゲートと半導体層との間にしきい値変動パルスを時間Δtの間印加するしきい値変動動作と、メモリセルのしきい値変動パルス印加後の状態を検知するしきい値ベリファイ動作とを、メモリセルのしきい値が所望の値に達するまで繰り返すEEPROMにおいて、しきい値変動パルスを、しきい値変動動作の度にパルス波高増分ΔVppだけ高め、所望のしきい値に達したメモリセルのしきい値分布幅が|ΔVpp|となるように電気的にデータ書き込みを行うこと。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
電気的に多値データ書き込み可能な複数の不揮発性半導体メモリセルと、 前記メモリセルを対応するそれぞれの所定の書き込み状態にするために、時間と共にほぼ一定の割合で電圧が増加していく書き込みパルスを対応するそれぞれのメモリセルに印加し、前記メモリセルの書き込み状態を検出し、前記所定の書き込み状態に達したと検出されたメモリセルへの書き込みをメモリセル毎に独立に制御する書き込み手段とを備え、 前記書き込みパルスの初期値は対応するメモリセルの達するべき書き込み状態に応じた電圧を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
G11C16/02
FI (3件)：
G11C17/00 611E ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 641
Fターム (5件)：
5B025AA01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD03 ,  5B025AD10 ,  5B025AE08
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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