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J-GLOBAL ID：201002293033449771   整理番号：10A1539028

AlGaN/GaNから成るゲートの無いヘテロ接合型電界効果トランジスタにおけるトラッピング効果の伝送線路モデル法による評価

Trapping effect evaluation of gateless AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors using transmission-line-model method

著者 (4件)： HU Cheng-yu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido ...) ,  HASHIZUME Tamotsu (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido ...) ,  OHI Kota (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido ...) ,  TAJIMA Masafumi (Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Graduate School of Information Sci. and Technol., Hokkaido ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 22  ページ： 222103  発行年： 2010年11月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNから成る伝送線路モデル(TLM)構造において,電場に依存するトラッピング効果が観測された。従って,構築したAlGaN/GaNのTLM構造の全ての間隔に関して同じようなトラッピング効果,つまり同じようなシート抵抗変化(ΔR_SH)を誘起するために,「緩やかな電圧ストレス」を採用した。「緩やかな電圧ストレス」下におけるTLM構造を測定(電圧ストレス下でのTLM測定)することによって,AlGaN/GaNのヘテロ構造を基本とするゲートの無い電界効果トランジスタにおけるトラッピング効果を研究した。厚さが10nmのAl₂O₃から成る不動態化膜によって,電圧ストレスによって誘起されるΔR_SHは大幅に減少し,表面トラップが含まれることが示唆される。繰り返して不動態化を行うことによって,電圧ストレス下におけるTLM測定の実現可能性と再現性を確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *接合形FET ,  キャリア捕獲 ,  通信系モデル ,  伝送線路 ,  シート抵抗 ,  不動態皮膜 ,  酸化アルミニウム ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム ,  伝送線路モデル ,  電圧ストレス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  ゲート ,  接合型電界効果トランジスタ ,  トラッピング ,  伝送線路モデル ,  評価