特許
J-GLOBAL ID：201003060108539649
電子サイクロトロン共鳴イオン源装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
三好 秀和
, 高橋 俊一
, 鈴木 壯兵衞
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-129921
公開番号（公開出願番号）：特開2010-277871
出願日： 2009年05月29日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：
【課題】ECRイオン源を用いて、原子内包フラーレンを容易に形成し、かつイオンビームとして引き出し、分析するECRイオン源装置を提供する。【解決手段】常温で気体の物質と、高融点の物質のガスのECRプラズマを生成可能なECRチェンバ部1aと、フラーレンガス供給用の蒸発源108を有するプロセスチェンバ部1bと、イオン引き出しメッシュ電極104と、イオンアパーチャ107とを備え、イオン引き出しメッシュ電極104とイオンアパーチャ107への印加電圧を制御することにより、ECRプラズマのプラズマポテンシャルを制御し、ECRプラズマからイオンのみをプロセスチェンバ部1bへ抽出し、当該イオンをフラーレンにイオン注入し、フラーレン誘導体を生成すると同時に、イオンアパーチャ107よりイオンビーム94として引き出し、分析するECRイオン源装置50。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
常温で気体の物質と、高融点の物質それぞれのガスを導入可能でかつ前記それぞれのガスのECRプラズマを生成可能なECRチェンバ部と、
前記ECRチェンバ部の下流側に配置され、フラーレンガスを供給可能な蒸発源を有するプロセスチェンバ部と、
前記ECRチェンバ部と前記プロセスチェンバ部との間に配置され、前記ECRチェンバ部内で生成された前記それぞれのガスのECRプラズマを抽出するメッシュ電極と、
前記プロセスチェンバ部の下流側に配置され、電圧印加可能なイオンアパーチャ
とを備え、前記メッシュ電極と前記イオンアパーチャへの印加電圧を制御することにより、前記ECRプラズマのプラズマポテンシャルを制御し、前記ECRプラズマからイオンのみを前記プロセスチェンバ部へ抽出することを特徴とする電子サイクロトロン共鳴イオン源装置。
IPC (3件)：
H01J 27/18
, H01J 37/08
, H01J 37/317
H01J27/18
, H01J37/08
, H01J37/317 B
, H01J37/317 E
, H01J37/317 Z
4G146AA08
, 4G146AA13
, 4G146AA15
, 4G146AA16
, 4G146AA17
, 4G146CB16
, 4G146CB19
, 4G146CB32
, 4G146DA03
, 5C030DD02
, 5C030DE01
, 5C030DE04
, 5C034CC01
, 5C034CC07
